现在说这个，让人有穿越的感觉，仿佛是远古时代的话题。的确现在MOS管的使用越来越多，BJT份额越来越少。正因为这个原因，造成了现在维修或者特殊设计用途时器件的选择面越来越窄，需要替代的场景越来越多。Vceo/Vcer/Vcbo作为BJT的一组重要参数，旧话重提也不奇怪了。
Vceo是晶体三极管基极开路时（R为无穷大），集电极和发射极之间的击穿电压。Vcbo是晶体三极管集电极和基极之间的击穿电压，也就是基极和发射极短路时（R为0），集电极和发射极之间的击穿电压。Vcer为三极管基极和发射极间外接电阻R时集电极和发射极之间的击穿电压。数值上Vcbo>Vcer>Vceo。Vceo为最小是由于基极开路，Icb的变化经放大形成集电极电流的激增造成。当R在0到无穷大之间变化时，Vcer的数值在Vcbo,Vceo之间变化。
对于高压晶体三极管而言，Vcbo，Vceo的压差很大，比如常用的13005高压开关管，Vcbo=800V，Vceo=400V。这对于维修或者设计提供了很大的便利性，尤其在当前晶体管器件选择较少的情况下，无需再遵循以Vceo为极限值的教条。